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怕震动，可在任意方向安装等优势成为绿色照明新秀。在电气设计上，它采用了有源功率因数补偿（apfc，N≥0.98），在电源电压大范围变动（100v~260v）下能恒压供电，输出稳
http://blog.alighting.cn/COSMOTO_ENERGY/archive/2011/8/2/231479.html2011/8/2 10:50:00
定要先将灯管与镇流器按图连好,再将镇流器“l”与“N”端接上120/220vac50/60hz电源或镇流器"+"与"-"端接上12v/24v直流电源，避免负载开路通电。 2．灯管功
http://blog.alighting.cn/wujideng/archive/2011/7/26/230866.html2011/7/26 14:49:00
作时除p区向N区注入电荷（空穴）外，N区也会向p区注人电荷（电子），一般情况下，后一类的电荷注人不会产生光电效应，而以发热的形式消耗掉了。即使有用的那部分注入电荷，也不会全部变成
http://blog.alighting.cn/leddlm/archive/2011/7/24/230666.html2011/7/24 17:25:00
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http://blog.alighting.cn/aidel2/archive/2011/7/21/230564.html2011/7/21 16:35:00
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层，露出多量子阱N型有源区；第三步，沉积、刻蚀形成N型欧姆接触区。芯片尺寸为1mmxlmm，p型欧姆接触区为正方形，N型欧姆接触区为梳状形，这样可以减小电阻。第四步，将带有金属化凸点的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
6月11日，“2011湖南省节能宣传周活动暨中国（长沙）第三届节能科技产品交易博览会”在长沙红星国际会展中心盛大启动。我公司以“节能N次方，地球更健康”为主题的led照明产品展
http://blog.alighting.cn/ledled/archive/2011/7/20/230364.html2011/7/20 9:30:00
2 mbembe是直接以ga的分子束作为ga源，以Nh 3为N源，在衬底表面反应生成gaN。该方法可以在较低的温度下实现gaN的生长，有可能减少N的挥发，从而降低背景电子浓度。其生长反
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
