站内搜索
底的gan芯片制备；gan、lialo2、zno、aln等新型衬底的外延和芯片技术；功率型gan基芯片制造；高效率大功率led封装技术；100lm/w以上功率led封装用有机硅材料；10
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21632.html2009/12/15 16:48:00
底的gan芯片制备；gan、lialo2、zno、aln等新型衬底的外延和芯片技术；功率型gan基芯片制造；高效率大功率led封装技术；100lm/w以上功率led封装用有机硅材
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21633.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00
%。 晶体质量 日本化合物半导体制造商eudyna devices公司在对这方面进行研究时，在通过衬底gan led外延层的地方，简单地增加了一个额外加热处理工艺，就提
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
业链的下游，我们是做应用，实际上大部分的企业现在没有做外延、做芯片、做封装，可能现在有一部分的企业现在开始做封装的，更多的企业现在实际上是把封装好的led拿来做成照明的产
http://blog.alighting.cn/1322/archive/2010/7/14/55829.html2010/7/14 13:46:00
急。通常来说，大功率led照明光源需要解决的散热问题涉及以下几个环节： 1. 晶片pn结到外延层 ； 2. 外延层到封装基板 ； 3. 封装基板到外部冷却装置再到空气。 这三个环
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115543.html2010/11/20 23:43:00
属的电迁移的问题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹配的衬底材料，外
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
此，cree、晶电、璨圆、新世纪、旭明光电等led外延芯片生产的领头羊已纷纷进驻中国大陆。美国、日本及台湾led外延公司的生存之道就是把传统的水平led设计升级成垂直式led，这样才能在大
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
导体技术已经改变了世界，led新型产业是半导体技术给我们的又一个发展机会，特别是终端应用。上游领域的外延及芯片的技术已有国外领先，但应用端方面，国内外的起点是同步进行的。只要我
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/11/126867.html2011/1/11 0:02:00
配的衬底材料，外延生长的gan薄膜中往往包含有大量的缺陷，其大部分的是线性位错，器件工作时，接触金属的在电应力和热应力的作为下就会沿这些位错线迁移到达结区，从而形成低阻欧姆通道，造
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
