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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
小关系不大，但与电极的位置有关，P焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高，正向压降也
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
表在 jaPanese journal of aPPlied Physics 期刊2010年 vol 49 , P080203 的文
https://www.alighting.cn/resource/20100826/127974.htm2010/8/26 10:02:38
2007年9月19日，首尔半导体（ssc）当天宣布其单封装led（图左）亮度达到业内最高，与 z-Power P4 led（100lm）相比，亮度提高了三倍。ssc的高性能le
https://www.alighting.cn/resource/20070920/128531.htm2007/9/20 0:00:00
为了提高led芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ito芯片的led，gan基白光led中如果用ito替代ni/au作为P型电极芯片的亮度要比采
https://www.alighting.cn/resource/20090224/128667.htm2009/2/24 0:00:00
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上，气态物质in,ga,al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
以提高n在zno的固溶度。研究表明:n掺杂zno体系,由于n-2P和zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而al-n
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55
文章介绍了红外遥控发射器nb9148芯片的特性。在红外遥控接收装置中，传统的方法是采用专用的红外遥控接收器nb9149，但带来种种限制，因此，本文直接采用em78P156e单片
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/23/11226_48.htm2013/8/23 11:22:06
赤崎和天野研究室于1992年在未使用ingan单晶的情况下，制作出了比以往的Pn结型更亮的蓝色led。是在P型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
