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垂直结构led技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的led芯片的两个电极分别在led外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

垂直结构led技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的led芯片的两个电极分别在led外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

垂直结构led技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的led芯片的两个电极分别在led外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50

国内政府激励led照明产业发展

w光效的大功率白光led芯片的研发及产业化工作也正在加快推进。 福建led照明发展目标.在上游衬底、外延、芯片方面,支持led外延、芯片龙头企业追赶国际先进水平、扩大生产规

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/6/21/222434.html2011/6/21 15:41:00

国内政府激励led照明产业发展

效的大功率白光led芯片的研发及产业化工作也正在加快推进。 福建led照明发展目标.在上游衬底、外延、芯片方面,支持led外延、芯片龙头企业追赶国际先进水平、扩大生产规模。加快推

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/9/9/236113.html2011/9/9 11:30:23

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

济和信息化局任安良副局长作了相关发言。  这次国际研讨会在江门地区led产业发展中规格之高、含金量之高。应邀出席本次会议的嘉宾都是国内外led外延芯片和应用领域权威专家和企业技术主

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/10/17/293388.html2012/10/17 14:45:53

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

济和信息化局任安良副局长作了相关发言。  这次国际研讨会在江门地区led产业发展中规格之高、含金量之高。应邀出席本次会议的嘉宾都是国内外led外延芯片和应用领域权威专家和企业技术主

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293844.html2012/10/19 22:31:18

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

济和信息化局任安良副局长作了相关发言。  这次国际研讨会在江门地区led产业发展中规格之高、含金量之高。应邀出席本次会议的嘉宾都是国内外led外延芯片和应用领域权威专家和企业技术主

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293940.html2012/10/19 22:34:59

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

济和信息化局任安良副局长作了相关发言。  这次国际研讨会在江门地区led产业发展中规格之高、含金量之高。应邀出席本次会议的嘉宾都是国内外led外延芯片和应用领域权威专家和企业技术主

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304525.html2012/12/17 19:38:17

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

济和信息化局任安良副局长作了相关发言。  这次国际研讨会在江门地区led产业发展中规格之高、含金量之高。应邀出席本次会议的嘉宾都是国内外led外延芯片和应用领域权威专家和企业技术主

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304554.html2012/12/17 19:38:37

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