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长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下面是关于led外延片技术的一些资料。1.改进两步法生长工艺目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6片
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
米以下的紫外led。由于sic衬底有益的导电性能和导热性能,可以较好地解决功率型gan led器件的散热问题,故在半导体照明技术领域占重要地位。同蓝宝石相比,sic与gan外延膜的晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和sic两种）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
在led芯片到制作成led小芯片之前就是是一张比较大的外延片，外延片是led芯片加工过程中的一种芯片材料，led外延片可以切割成led芯片，再经封装后，就得到日常所见到的le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221788.html2011/6/18 22:58:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221803.html2011/6/18 23:09:00
从led工作原理可知，外延片材料是led的核心部分，事实上，led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料。外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在，金属有
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
今天来探讨led外延片的成长工艺，早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi，每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00
由led工作原理可知,外延材料是led的核心部分,事实上,led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。发光二极管对外延片的技术主要有以下四条：?ゼbr①禁带宽
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
本报讯（记者 余海燕）近日，神光皓瑞公司的新型led外延片及芯片生产项目在航天基地试产成功。据了解，由该型外延片制成的成品灯能将1瓦电能转化为100ml(光亮度单位)光能，比目
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/3/12/310682.html2013/3/12 10:30:36
