站内搜索
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
新一代大功率白光led光源具有很多优点，如节能、环保、寿命长等，但大功率led的散热也是一个至关重要的问题。而led照明灯具的散热片设计是解决散热问题的根本所在。文章详细介绍了目
https://www.alighting.cn/resource/2011/1/21/174238_09.htm2011/1/21 17:42:38
一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯mocvd外延生长技术》的讲义资料，分享了衬底材料的选择，以及外延技术的发展趋势等内容，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01
d 外延片进行1. 5，3. 0，4. 5 mev 电子束辐照实验，并应用光致发光谱测试发光性
https://www.alighting.cn/resource/20140926/124256.htm2014/9/26 11:56:32
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。
https://www.alighting.cn/resource/20110111/128087.htm2011/1/11 16:29:26
北京大学的张国义整理的关于《gan同质外延和竖直结构大功率led》的技术资料，分享给大家。
https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48
伦斯勒理工学院(rpi)宣布，已研发出高效深绿led外延材料，这种材料对开发红绿蓝颜色混合白光led很有用。此前在对红绿蓝光led材料研究中，深绿光led材料的效率历来是最低的。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127979.htm2010/7/12 17:43:35
内容概要：led外延芯片的发展现状；led核心技术的发展趋势；垂直薄膜型led芯片研发现状。
https://www.alighting.cn/2014/2/28 11:00:27
本文提出利用hrxrd 倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态，这对algan 材料的mocvd 外延生长具有重要的指导意义。
https://www.alighting.cn/2014/12/3 11:50:29
d芯片esd性能的影响机制，指出改善led芯片esd性能的关键方法，并介绍了外延改善led芯片esd性能的前沿研究情
https://www.alighting.cn/2013/3/29 9:56:19
