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小,芯片加速老化,工作寿命缩短。文章从led散热问题着手,详细介绍了目前广泛商用的大功率led器件结构及导热途径、所用散热基片的特点,以及led所用的散热片设计和计算方法。另外介
https://www.alighting.cn/2012/9/21 16:35:28
本文介绍了国产设备在led外延芯片生产线上的应用及发展趋势，详情请看下文！
https://www.alighting.cn/2015/2/3 17:09:23
来自维易科公司的关于《外延mocvd基本原理及led各层结构》的技术资料，现在分享给大家。
https://www.alighting.cn/2013/3/5 11:54:13
本报告该部分的内容先对led外延和芯片做一个简单的技术介绍，按照不同技术对led外延和芯片技术做了详细分类，并通过定性、定量以及趋势图表的分析方法对led外延和芯片方面的相关专
https://www.alighting.cn/resource/20130508/125628.htm2013/5/8 17:04:39
昭和电工宣布，将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。
https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55
在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的zno薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了zno薄膜微观结
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18
别在led衬底、外延、芯片的核心技术研究方面，已取得突破性成果。对led发展提出了不同的技术路线和“终极目标”的技术方案，以及提出新的发光材料。为此，本文除简要描述半导体照明上游产
https://www.alighting.cn/2013/8/13 9:58:57
应用散热器目的是增大发热表面散热量, 在以下讨论中, 一般将空气作为冷却剂。在大多数情况下,热源通过固体表面与冷却空气之间的界面进行热交换, 同时该界面也是散热的最大障碍。散热器则
https://www.alighting.cn/2013/6/13 16:13:24
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
面有着巨大的应用潜力。然而,sic单晶价格昂贵,这就促使人们继续探讨在si衬底上异质外延sic薄
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
