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行1.5,3.0,4.5 mev电子束辐照实验,并应用光致发光(photoluminescence,pl)谱测试发光性
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
本文采用单晶荧光材料取代荧光粉来制备白光led,并对白光led用新型yag单晶荧光材料的制备和光谱性能进行了研究.采用提拉法生长了白光led用ce∶yag及pr,ce∶yag晶
https://www.alighting.cn/resource/20110823/127263.htm2011/8/23 13:33:10
共谱照明篇
https://www.alighting.cn/resource/20151209/135078.htm2015/12/9 16:45:21
压系数计算表、led恒流驱动器型谱图、恒流驱动器性能对比表、恒流驱动器接线图等图表4
https://www.alighting.cn/resource/2009324/V799.htm2009/3/24 10:37:13
节(pwm)，能够在整个亮度范围内保持led的色谱。另外，采用内置200hz振荡电路的led驱动器可以省去外部pwm信号发生器，简化设
https://www.alighting.cn/resource/20131205/125039.htm2013/12/5 10:24:56
通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
采用高温固相反应法制备sr3al2o6-3x/2nx∶eu2+发光材料。发光光谱分析表明,该材料在400~550nm可见光激发下,发射光谱为峰值波长为600 nm的宽带谱。xr
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:54:56
采用高温固相法合成了适用于蓝光和近紫外光led芯片的钇铝石榴石黄色荧光粉和硅酸锶钡掺铕绿色荧光粉，通过x射线衍射(xrd)分析、扫描电镜(sem)观察、粒度分析仪测试和光谱仪检测
https://www.alighting.cn/2012/3/6 17:52:02
验,对inxga1-xn制备过程中的in组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的pl谱测量分析,得到了587℃~600℃的in组份最佳掺入温度区间
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
