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本文通过对椭偏光谱的理论计算，拟合了本征gan中的声子振动参量和等离子震荡的频率及阻尼常量，并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率。
https://www.alighting.cn/2015/3/20 10:15:14
本文采用表面光伏谱方法，对不同组分及阱宽的ingaas/gaas应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算，对样品的表面光伏谱进行指认，理论与实验符合得很好.
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126127.htm2013/1/23 10:46:23
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
https://www.alighting.cn/resource/2012/2/15/164958_81.htm2012/2/15 16:49:58
制备了人工opal晶体模板,运用mocvd方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的inp晶体,选择了mocvd生长inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
用x射线衍射(xrd)谱和光致发光谱进行了表征.实验结果表明,随着退火温度的提高,zno薄膜的压应力减小,并向张应力转化
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53
理选择现有的白光led和彩色led，利用lighttools进行模拟得到混色光谱，通过对颜色参数的分析评价，进而获得合适的生鲜灯混光方案和效果指标。
https://www.alighting.cn/resource/20141216/123916.htm2014/12/16 10:10:05
谱性质进行了分析和讨论。结果表明:与普通微腔器件相比,新型微腔器件的谱线宽度显著窄化,峰值强度明显增强,并且受腔体长度的影响较小。这些结果为进一步提高微腔器件的发光色纯度、薄化器
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125644.htm2013/5/6 15:39:16
x射线衍射峰半高宽是 72arcmin ,薄膜的玛赛克 (mosaic)结构是x射线衍射峰展宽的主要原因 .室温下gan光致发光谱的带边峰位于 36 5nm
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
