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led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

led芯片寿命 试验方法

机抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片,封装成ф5单灯器件,进行为96小时寿命试验,其结果代表本生产批的所有外延片。一般认为,试验周期为1000小时或以上的称为长期寿命试验。生产工

  http://blog.alighting.cn/tyqtyq/archive/2009/5/16/3426.html2009/5/16 18:50:00

中国led芯片市场分析

剩的压力,特别是led上游外延片、芯片行业。其中台湾晶元光电近期表示今年新增的20台mocvd虽已全部到位,但因蓝光芯片需求不佳、产能利用率未满,原本预计蓝光芯片的产能要由800kk

  http://blog.alighting.cn/sxjygd/archive/2009/7/21/4668.html2009/7/21 16:58:00

高亮度芯片面临的发展瓶颈

命下降。目前蓝光芯片无论是碳化硅、蓝宝石、硅衬底技术都是异质外延,在衬底和外延晶体之间存在晶格失配导致位错,同时由于热膨胀系数的差别在外延生长后的降温过程中产生热应力,导致外延层出

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21

采钰科技发表应用于固态式照明之8寸外延片级led硅基封装技术

司 精材科技股份有限公司成立于民国八十七年,座落于中坜工业区。民国九十六年台湾积体电路制造股份有限公司策略性投资精材公司,成为精材最大的法人股东。精材从事外延片级芯片尺寸封装技术的开

  http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230915.html2011/7/26 21:39:00

led芯片的制造工艺流程简介

、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。   led 芯片的制造工艺流程:   外延片→清洗→镀透明电极层→透

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00

led显示屏驱动芯片的应用

般都在15mhz以上。 在led上游外延片、芯片生产上,美国、日本、欧盟仍拥有很大的技术优势,而中国台湾地区则已成为全球重要的led生产基地。虽然中国在led外延片、芯片的生产技

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133839.html2011/2/19 23:23:00

led显示屏驱动芯片及其应用

钟频率一般都在15 mhz以上。 在led上游外延片、芯片生产上,美国、日本、欧盟仍拥有很大的技术优势,而中国台湾地区则已成为全球重要的led生产基地。虽然中国在led外延片、芯

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/19/179642.html2011/5/19 0:25:00

led显示屏驱动芯片的应用

上。 在led上游外延片、芯片生产上,美国、日本、欧盟仍拥有很大的技术优势,而中国台湾地区则已成为全球重要的led生产基地。虽然中国在led外延片、芯片的生产技术上距离国际先进水平还

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230291.html2011/7/19 23:43:00

国内led芯片公司竞赛格式逐渐成型

下,中国的led外延芯片职业开展敏捷,首要出产设备mocvd机台数量添加迅猛。依据gscresearch计算,2009年中国用于led外延出产的mocvd数量为133台,其间有正

  http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/12/323311.html2013/8/12 15:14:13

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