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由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，gan/si基器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
环氧树脂封装材料由于存在诸多不足，长期以来仅限于小功率led的封装，而大功率led的封装只能依赖国外进口的有机硅封装材料。通过高折射率无机氧化物的改性作用而制备的纳米改性有机硅封
https://www.alighting.cn/2013/12/13 10:54:00
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
led照明经过发展后，由于本身具有绿色、节能、高效的特点，已逐渐开始替代白炽灯荧光灯等传统照明光源，成为21世纪的新一代照明光源。现阶段市场上存在的led调光方案有可控硅调光、脉
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/10/16463_18.htm2013/12/10 16:46:03
基板的选择中，氧化铝(al2o3)及硅(si)都是目前市面上已在应用的材料，其中氧化铝基板因是绝缘体，必须有传导热设计，藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体，但绝缘性不
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125080.htm2013/11/26 15:44:16
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底
https://www.alighting.cn/resource/20131028/125183.htm2013/10/28 15:04:32
介绍了发光二极管(led)的特点及对封装材料的性能要求，指出了现有led封装材料环氧树脂的不足，综述了近年来有机硅改性环氧树脂led封装材料、有机硅led封装材料的研究进展。
https://www.alighting.cn/2013/10/25 14:10:01
为了获得大功率led器件，有必要准备一个合适的大功率led面板灯芯片。国际社会通常是大功率led芯片的制造方法归纳如下。
https://www.alighting.cn/resource/20131025/125196.htm2013/10/25 10:31:08
