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良品的外延片就要开始做电极(p极，N极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方片)。然后还要进行目测，
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56
gaN基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状N电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
以提高N在zNo的固溶度。研究表明:N掺杂zNo体系,由于N-2p和zN-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而al-N
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55
用下硅氢加成硫化成型,获得折射率N2d51.5000,透光率大于90%(400 Nm~800 Nm,10 mm)的凝胶型发光二级管(led)封装材
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127153.htm2011/9/14 9:13:11
属氧化物化学气相沉积(mocvd)技术在图形蓝宝石衬底(pss)上生长2μm厚的N型gaN层,4层量子阱和200Nm厚的p型gaN层,形成led结构
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
gan/alxga1-xn超晶格插入层技术是释放应力和减少alxga1-xn薄膜中缺陷的有效方法。研究了gan/alxga1-xn超晶格插入层对gan/蓝宝石上alxga1-xn外
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延N型gaN.通过原子力显微镜观察到N型gaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的N型gaN表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127241.htm2011/8/29 15:54:05
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）a为正极，以N型半导体b为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
https://www.alighting.cn/resource/20110704/127473.htm2011/7/4 11:16:05
本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将N个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/resource/20110524/127562.htm2011/5/24 12:38:10
