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led的基本结构是一个半导体的p—N结。实验指出，当电流流过led组件时，p—N结的温度将上升，严格意义上说，就把p—N结区的温度定义为led的结温。通常由于组件芯片均具有很
https://www.alighting.cn/resource/20081218/128962.htm2008/12/18 0:00:00
件，它将外来的原子掺进晶体里，而该原子可以释放（N型掺杂）或吸收一个电子（p型掺杂）。这样就在固体内部创造一个空
https://www.alighting.cn/resource/20081216/128644.htm2008/12/16 0:00:00
Ns的lm3421/lm3423是恒流led驱动器的N沟控制器,可配置成降压,升压,降-升压(反激)或sepic,输入电压可高达75v,非常适合各种情况下的led照明应用.
https://www.alighting.cn/resource/20081212/V18249.htm2008/12/12 11:38:01
led是英文lightemittiNgdiode的缩写，即：光线激发二极管，属于一种半导体元器件。发光二极管的核心部分是由p型半导体和N型半导体组成的晶片，在p型半导体和N型半导
https://www.alighting.cn/resource/2008108/V17501.htm2008/10/8 14:02:38
liNear公司的lt3755和lt3755-1是大电流dc/dc控制器,可作为恒流源用来驱动大电流led.lt3755和lt3755-1通过内部的7v稳压源来驱动低边N沟功
https://www.alighting.cn/resource/2008728/V555.htm2008/7/28 10:55:23
石油化工企业生产装置多为爆炸危险环境，对于单相负荷，系统维护检修时分断N线是否必要便成为一个争议的焦点。由于相关设计规范并没有明文规定爆炸危险环境2区下N线是否必须分断，本文阐
https://www.alighting.cn/resource/200789/V12712.htm2007/8/9 10:40:02
到空穴的浓度和深度分布情况。结果表明，激光诱导掺杂zN后，未掺杂显N型的gaN材料转变为p型，接近样品表面处空穴浓度最大达3×1018cm-3。利用二次离子质谱方法对zN含量进行测
https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
压，则 p区中空穴会流向N区;而N区中的电子会流向p区。然后，随着小数载流子和我数载流子的重合放出能量;其中，一部分能量转化为热，另一部分转化为
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128917.htm2005/12/16 0:00:00
