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采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有c轴择优取向生长的na-mg共掺杂的zno薄膜。用xrd、sem、光致发光(pl)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127006.htm2011/10/18 14:46:03
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
用脉冲激光沉积(pld)技术制备了zno/sic/si和zno/si薄膜并制成了紫外探测器。利用x射线衍射(xrd),光致发光(pl)谱,i-v曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
时获得了p型zno薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64ω.cm,迁移率为0.838cm2/(v.s).霍尔测试和低温光致发光
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
验,对inxga1-xn制备过程中的in组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的pl谱测量分析,得到了587℃~600℃的in组份最佳掺入温度区间
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
实验采用碳酸锂、氧化钨、氧化铕制备了lieuw2o8发光粉,通过扫描电镜和光谱仪分别研究了它的形貌与光谱特征。结果显示:lieuw2o8发光粉的激发光谱较宽,非常适合于近紫外、蓝
https://www.alighting.cn/resource/20110923/127092.htm2011/9/23 9:38:16
测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
为了提高光学粒子计数器的测量性能,克服白炽灯和激光作光源带来的缺点,研制了一台光学粒子计数器。基于mie散射原理测量粒子的粒径,以发光强度高、发光波长宽的led为光源,具有白炽灯和
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127112.htm2011/9/20 13:26:14
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
