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止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看,还没有其它方法能与之相比。国际上mocvd设备制造商主要有三家：德
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
１、引言 ｌｅｄ是一种可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件，由于具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、发光响应时间极短、光色纯、结构牢固、抗冲击、耐振动、性能稳定可靠
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
恒流二极管 本系列产品可直接贴于pcb板，直接用于交流电与led串电路回路中，不需外加元件。 应用电路:交流市电（ac110/220v）输入经过桥式整流后，只需要保证输入电
http://blog.alighting.cn/dgrd2008/archive/2010/9/29/100476.html2010/9/29 20:39:00
发的中国工程师有一定参考价值。 全球第一款商用化发光二极管(led)是在1965年用锗材料作成的,其单价为45美元。随后不久monsanto和惠普公司也推出了用gaasp材料制
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00
这是一款精密型手动点涂胶机，根据胶量大小要求，选择不同大小的储料筒，适合各种胶水的点涂，产品介绍: 1.led数字显示屏,具有定量教导功能,轻松设置出胶量 2.数码拔盘设定出胶
http://blog.alighting.cn/thlanyu/archive/2009/8/6/5044.html2009/8/6 10:57:00
1～1020/cm3范围。2.4GaN的光学特性人们关注的GaN的特性,旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。maruska和tietjen首先精确地测量了GaN直接隙能量为3.39e
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
使用光子晶晶体技术可以提高发光二极管的出光效率。本论文将从两种结构来验证光子晶体技术可以提高芯片的 外部量子效率。一是倒装芯片结构的使用，即将两个发光面制
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
种结构芯片电流垂直分布，衬底热导率高，可靠性高;发光层背面为金属反射镜，表面有粗化结构，取光效率高。 1.3关键技术及创新性 用si作GaN发光二极管衬底，虽然使le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
led( light emitting diode，发光二极管）的光电转换效能高，其基本结构是一块电致发光的半导体晶体，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，作为保护内
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/19/179641.html2011/5/19 0:25:00
发 光 原 理led作为第四代固体照明光源,有着极其广泛的应用前景.一.发光原理发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物.如gaas、gap、gaasp/gaalas、ingaalp、GaN
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229893.html2011/7/17 23:02:00
