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析inGaN/alGaN/GaN发光二极管在大电流老化试验中光电学参数的变化和空间电荷区的离化受主分布[15]，认为在老化试验第一阶段，有源层中剩余的mg－h络合物分解，p型层有效离化受主浓度增
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
4 深能级与非辐射复合中心增加随着封装技术的提高，与GaN材料本身有关的失效模式和机理逐渐引起人们的兴趣。f.manyakhin等人通过分析inGaN/alGaN/GaN发光二极管在
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
们的兴趣。f.manyakhin等人通过分析inGaN/alGaN/GaN发光二极管在大电流老化试验中光电学参数的变化和空间电荷区的离化受主分布[15]，认为在老化试验第一阶段，有
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
摘 要：太阳电池是一种将光能转为电能的半导体器件，发光二极管（也叫光发射二极管led）是一种将电能转换为光能的半导体器件，两者的结构和性能有着很多的相似之处，如将两者结合在一
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8199.html2007/11/26 19:28:00
及 技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于led。led的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯,当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外 光或
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230169.html2011/7/19 0:23:00
数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233114.html2011/8/20 0:04:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258504.html2011/12/19 10:56:54
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261561.html2012/1/8 21:50:48
