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首尔半导连续两年被ieee评为led专利实力世界第一

世界知名led制造商-首尔半导12月23日表示,世界权威机构美国电气和电子工程师协会(ieee)发布的2013年半导制造领域专利实力排名中,首尔半导是唯一当选的led制造企

  https://www.alighting.cn/news/20131223/n365059193.htm2013/12/23 10:43:01

GaN功率型led芯片散热性能的测试与分析

与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13

GaN倒装焊led芯片的光提取效率模拟与分析

研究结果表明:采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。

  https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03

p层厚度对siGaN垂直结构led出光的影响

利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48

第十六届中国国际半导照明论坛暨2019国际第三代半导论坛在深圳盛大开幕

第十六届中国国际半导照明论坛暨2019国际第三代半导论坛开幕大会结束。为期三天的论坛将探讨大时代背景下半导应用的无限遐想及实现路径。来自各方的专家将从前沿技术、跨界融合、资

  https://www.alighting.cn/news/20191127/165332.htm2019/11/27 9:54:29

GaN蓝光led外延材料转移前后性能

利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的GaN蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光led.与外延材料未转

  https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12

ti正式完成对国家半导65亿美元的收购

美国国家半导的5,000多名员工即刻起将正式成为德州仪器的一员。两家公司将立即开展工作把美国国家半导整合为德州仪器模拟业务下属的一个部门,届时德州仪器的模拟业务将拥有近4

  https://www.alighting.cn/news/20110927/116093.htm2011/9/27 15:47:18

9项半导照明行业标准将在江门发布

为宣传和贯彻获准发布的9项半导照明行业标准,中国电子技术标准化研究所、工业和信息化部半导照明技术标准工作组定于2010年1月24-25日在广东省江门市举行2010年全国半导

  https://www.alighting.cn/news/2010121/V22664.htm2010/1/21 9:15:44

2010年化合物半导材料市场将突破10亿美元

法国市场调研公司yole dveloppement提供关于化合物半导材料市场的分析,预计2010年该市场将突破10亿美元大关。

  https://www.alighting.cn/news/20080314/91169.htm2008/3/14 0:00:00

飞利浦加入国家半导照明工程研发及产业联盟

2009年10月14日至16日,第六届中国半导照明论坛(china ssl 2009)在中国深圳会展中心隆重召开。

  https://www.alighting.cn/news/20091019/116910.htm2009/10/19 0:00:00

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