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]或70ma恒定电流[11]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gaN基led，p型电极和N型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近N型电极处电流密度很
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
s swaN公司都已经开发出用于工业化生产的ⅲ族氮化物mocvd(lp-mocvd)设备。 2.2 mbe mbe是直接以ga的分子束作为ga源，以Nh 3为N源，在衬底表面反应生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
成一个单元，硅基片的底面为稳压二极管的p区，N区通过铝导电反光层与每组led的正、负极分别连接在一起，通过合金工艺实现欧姆接触。smd电容c1，c2，c3和二极管d1设计在外围区
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
们需要为电流提供一条通路。这可以通过图2d中的续流二极管来实现，图中我们用N通道mosfet来代替开关，并且加上电阻器r用以测量流经led的电流。 当电流降至
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由p型和N型半导体构成的pN结管芯，当注入pN结的少数载流子与多数载流子复
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由p型和N型半导体构成的pN结管芯，当注入pN结的少数载流子与多数载流子复合时，就
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
个开关管网络由5个pmos管s1、s2、s3、s5、s7及2个Nmos管s4、s6组成，如图4所示。以p管s1和N管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133849.html2011/2/19 23:30:00
数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由p型和N型半导体构成的pN结管芯，当注入pN结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
=1;}sdo=0;sclk=1;sclk=0; //补1个clock，如果一次送出了N个点的数据，则需要补N个clock......
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133819.html2011/2/19 23:14:00
时可用供电电源和所需效能也会影响连接方案的选择。 led的连接一般分为三种主要结构，即串联、并联(共阳极、共阴极、共阳极与共阴极)，以及串、并混联(2个led串联、N个le
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133818.html2011/2/19 23:13:00
