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上厂家生产的外延片和芯片的技术性能大多为中低档，一直停留在上一世纪90年代初期（1994年）的带有布拉格反射器的gaas衬底结构，如图1所示,这种结构的发光效率一般仅为10lm/
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
ｄ进程更是产业界研发的主流方向。 ３、产品封装结构类型 自上世纪90年代以来，ｌｅｄ芯片及材料制作技术的研发取得多项突破，透明衬底梯形结构、纹理表面结构、芯片倒装结构，商品
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
3之后的消费电子市场的超级海啸！ led灯具的高节能、长寿命、利环保的优越性能获得普遍的公认。 1.led高节能：直流驱动，超低功耗(单管0.03~1W)电光功率转换接
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120530.html2010/12/13 22:58:00
过去 led 从业者为了获利充分的 白光led 光束，曾经开发大尺寸led晶片试图藉此方式达成预期目标，不过实际上白光led的施加电力持续超过1W以上时光束反而会下降，发光效率
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00
定的导热效果，是10W以上高功率led照明新的散热解决方案。 据指出，目前为计算机及电子业设计的导热胶产品，其使用温度约为摄氏100度左右，用在高功率led照明这种瞬间产生高温情
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120524.html2010/12/13 22:54:00
产，形成年产30亿粒小芯片的产能。计划于2010年扩产到100亿粒。 2009年5月，公司研发的1瓦硅衬底大功率led芯片达到90lm，进入普通照明领域。 据了解，晶能光电投
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
表。1987年tang c W首先采用此种化合物alq3实现较高效率的有机电致发光器件。常见的此类物质有:alq3, al mqs , zn( 5 fa) 2, be bq2等。此类发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
国，改装hid占改装市场的比率不会超过10%（而在日本，这个比率则达到65%以上）这就可能会引来另外90%没有装hid的部分车主骂声一片（因为大部分人认为改装了hid都是白光的，被
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120519.html2010/12/13 22:51:00
辉（＜0.1μsec）特性和亮度特性。后来，在70年代被应用在高压汞灯中，主要用来提高高压汞灯的显色性。进入90年代后，该荧光粉成为蓝光led晶片首选的荧光材料，由于在led器件中
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120516.html2010/12/13 22:50:00
中一项性能得到提升的led和3W蓝色激光二极管引起了与会者的广泛关注。 通过加快研发进程、将led的发光效率提高至249lm/W@20ma， nichia研发者捕捉了led产
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120501.html2010/12/13 22:35:00
