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垂直结构led技术面面观

底:层叠反射层在gapled外延层上,键合导电支持衬底,剥离砷化鎵衬底。导电支持衬底包括,砷化鎵衬底,磷化鎵衬底,硅衬底,金属及合金等。另外,生长在硅片上的垂直GaNled也

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

垂直结构led技术面面观

底:层叠反射层在gapled外延层上,键合导电支持衬底,剥离砷化鎵衬底。导电支持衬底包括,砷化鎵衬底,磷化鎵衬底,硅衬底,金属及合金等。另外,生长在硅片上的垂直GaNled也

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

垂直结构led技术面面观

底:层叠反射层在gapled外延层上,键合导电支持衬底,剥离砷化鎵衬底。导电支持衬底包括,砷化鎵衬底,磷化鎵衬底,硅衬底,金属及合金等。另外,生长在硅片上的垂直GaNled也

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

垂直结构led技术面面观

底:层叠反射层在gapled外延层上,键合导电支持衬底,剥离砷化鎵衬底。导电支持衬底包括,砷化鎵衬底,磷化鎵衬底,硅衬底,金属及合金等。另外,生长在硅片上的垂直GaNled也

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

垂直结构led技术面面观

底:层叠反射层在gapled外延层上,键合导电支持衬底,剥离砷化鎵衬底。导电支持衬底包括,砷化鎵衬底,磷化鎵衬底,硅衬底,金属及合金等。另外,生长在硅片上的垂直GaNled也

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50

高效eu2+掺杂的氮化物和氮氧化物光转换荧光白光led

d 的关键材料—高性能光转换荧光的研发成为热点,因为它决定白光 led 光电重要特性和参数。目前被广泛用于制作白光 led 中的荧光是 yag:ce 系石榴石黄色发光材料,在其发

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134154.html2011/2/20 23:08:00

in组分对inGaNGaN蓝光led的发光性质的影响

目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大,在80k~16

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28

inGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性研究

对比el谱,发现pssleds拥有更强的光功率和更窄的半峰宽,说明pssleds具有较高的晶质量。

  https://www.alighting.cn/resource/20141210/123951.htm2014/12/10 10:10:07

微纳光学在led芯片中应用研究的综述

本文综述了led外延片表面的各种于微纳光学结构的加工技术,如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶结构、双光栅结构等。

  https://www.alighting.cn/2014/12/8 9:59:28

大功率led散热问题的探讨

大功率led 得以广泛应用,主要由于其寿命长、体积小、电转化效率以及高色温等特点。但是在led 的推广应用中,高效稳定的散热问题成为了重要阻碍。本文着重对大功率led 的散热问题进

  https://www.alighting.cn/2014/5/13 10:16:07

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