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新型非线性光学材料研究

本文在宏观块材料方面介绍了几类综合性能好的新型无机、有机非线性光学材料;在微结构非线性光学材料方面概述了光学超晶格等在设计方法上的进展,介绍了几种新型微结构材料的功能及实验结

  https://www.alighting.cn/resource/20130312/125906.htm2013/3/12 11:04:28

台湾led上市公司技术专利相对优势分析

本研究旨在结合专利资料与相对优势分析,以研究台湾上市柜之发光二极(led)产业公司专利型态,并且找出各公司的专利优势,以提供各公司做进一步的专利管理的参考。以公司专利绝对数量而

  https://www.alighting.cn/resource/20110419/127723.htm2011/4/19 17:48:33

国家政策颁布规划促进lled照明技术产业进入跨越式发展

平(150-200lm/w),led光源/灯具光效达到130lm/w,有机发光二级管(oled)照明灯具光效达到80lm/w,硅半导照明、创新应用、智能化照明系统及解决方案等达

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2012/8/15/286185.html2012/8/15 15:33:39

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233025.html2011/8/19 23:25:00

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

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