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e8400防爆标志灯优化的结构设计，轻质合金外壳，防尘防水，抗冲击， 确保灯具实现免维护，避免维护中的不安全因素。bxe8400防爆标志灯个性化设计，显示面板的图形和文字标志可根
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/229992.html2011/7/18 14:03:00
上。bpc8730 防爆平台灯 具有良好的电磁兼容，不会对周围环境造成干扰。bpc8730 防爆平台灯 灯体采用轻质合金材料，耐腐蚀性强，抗冲击性好；透明件采用耐高温、抗冲击特制钢
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/229986.html2011/7/18 13:57:00
风),根据非粘性流体力学,电池组件承受的风压只有365pa。所以,组件本身是完全可以承受27m/s的风速而不至于损坏的。所以,设计中关键要考虑的是电池组件支架与灯杆的连接。在本套路
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229966.html2011/7/17 23:39:00
将铝丝拉到相应的支架上方,压上第二点后扯断铝丝。金丝球焊过程则在压第一点前先烧个球,其余过程类似。压焊是led封装技术中的关键环节,工艺上主要需要监控的是压焊金丝(铝丝)拱丝形状,焊
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229960.html2011/7/17 23:36:00
“golden dragon led”我国台湾uec 公司(国联)采用金属键合(metal bonding) 技术封装的mb 系列大功率led,其特点是用si 代替gaas 衬底,散
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值,inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7ev左右,而不是先前普遍接受的1.9ev,所以通过调节合金组分可以获得从0
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下面是关于led外延片技术的一些资料。1.改进两步法生长工艺目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6片
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
包封材料,应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘 结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
用范围广泛,几乎可以生长所有化合物及合金半导体；(2)、非常适合于生长各种异质结构材料；(3)、可以生长超薄外延层,并能获得很陡的界面过渡；(4)、生长易于控制；(5)、可以生长纯
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