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构设计缓冲层生长N型gaN层生长多量子阱发光层生长p型gaN层生长退火检测（光萤光、x射线）外延片片外延片设计、加工掩模版光刻离子刻蚀N型电极（镀膜、退火、刻蚀）p型电极（镀膜、退
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
以p管s1和N管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的宽长比w／l可以设定为2.8μm／0.6μm。假设s1的宽长比为x(w／l)，s4的宽长比为y(w／
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120540.html2010/12/13 23:01:00
合物 ，主要是三芳胺衍生物。tpd：N，N′-双（3-甲基苯基）-N，N′-二苯基-1，1′-二苯基-4，4′-二胺Npd: N，N′-双（1-奈基）-N，N′-二苯基-1，1′
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作N型和p型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
d产生的热量究竟有多大？led在正向电压下，电子从电源获得能量，在电场的驱动下，克服pN结的电场，由N区跃迁到p区，这些电子与p区的空穴发生复合。由于漂移到p区的自由电子具有高于p区
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120510.html2010/12/13 22:47:00
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型gaN层生长 - 多量子阱发光层生 - p型gaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
纳米光触媒vk-Nt30在建材领域的应用 产品主要成分：纳米二氧化钛、纳米银等金属氧化物 tio2属于一种N型半导体材料，它的禁带宽度为3.2ev (锐钛矿)，当它受到波
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/13/120322.html2010/12/13 10:38:00
钛（同vk-tg01）混合液在大于380
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/13/120315.html2010/12/13 10:37:00
用者设计的节能手机。当手机周围光线充足的情况下,光感器会自动关闭键盘灯,为您节约用电.当手机周围光线暗淡的时候,光感器会自动判别,并为您开启键盘灯.诺基亚N70、N72、N73、
http://blog.alighting.cn/on-ele.org/archive/2010/12/10/119592.html2010/12/10 11:11:00
墙。看上去很绚。照明工程师社区 f\+z1x @s.{ 3y b0k3vh'ui0 ~cg!y ~l8N3^o&m0 y yi-` i0
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2010/12/9/119324.html2010/12/9 14:40:00
