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法）2、打开灯头侧面的电器箱盖，将φ8~14mm三芯电缆一端穿过灯头上端面引入装置口引进电器箱内，引入市电的火线接到接线座的“l”端，零线接到接线座的“N”端，地线接到接线座的“
http://blog.alighting.cn/haiyangrongrong/archive/2010/12/6/118397.html2010/12/6 9:27:00
不支持360靠公关藏后门骗用户的N个理由宏毅这两天的互联网上qq与360的纷争，让单位几乎所有同事都卸载了360，原因是我们同事都不是it小白，知道这个事件的前因后果，首先qq电
http://blog.alighting.cn/chinaas32/archive/2010/12/3/117896.html2010/12/3 11:14:00
行家用和类似问题用途电器防触电保护试验的必备器具.3.施加压力:10N,20N,30N,40N,50N,75N.深圳市博纳德精密仪器有限公司联系人：方小姐 1352883777
http://blog.alighting.cn/fangjungoing/archive/2010/11/29/117383.html2010/11/29 17:51:00
m，精度至少为0.01Nm。（保持插座本身在垂直平面上的力矩不包括在测试值内）能在插脚的纵线方向给每个插脚施加50N的拉力1miN。能通过位移传感器a测试插脚的位移。能对每个插
http://blog.alighting.cn/fangjungoing/archive/2010/11/29/117381.html2010/11/29 17:46:00
置能否使得导线在接线端处免受拉力和扭矩，并保护导线的绝缘免受磨损。能对当被测软线施加拉力，拉力可调范围：0-100N，精度至少为0.1N，在距软线固定装置约20mm处，或其它适当位
http://blog.alighting.cn/fangjungoing/archive/2010/11/29/117380.html2010/11/29 17:40:00
型gaN：mg淀积厚度大于500a的Niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出N型层；第三步，淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1×
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00
h）异质结led相对于同质结led来说，其p区和N区有带隙不同的半导体组分。在异质结中，宽带隙材料叫势垒层，窄带隙材料叫势阱层。只有一个势垒层和势阱层的结为单异质结（sh），有两个势
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115032.html2010/11/18 16:39:00
1、什麼是led的结温？ led的基本结构是一个半导体的p—N结。实验指出，当电流流过led元件时，p—N结的温度将上升，严格意义上说，就把p—N结区的温度定义为led的结温。通
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114858.html2010/11/18 0:31:00
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00
