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性(semipolar) gan衬底的制程技
https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00
本文采用相场数值模拟研究了图形化衬底上外延形态演化及其可调控性。发现通过在衬底表面预制合适的图形，改变外延层表面初始的应变分布，从而有效控制外延层表面的形态演变路径，可以获得高
https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:52:41
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
使用熔融的koh在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了ga
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
别在led衬底、外延、芯片的核心技术研究方面，已取得突破性成果。对led发展提出了不同的技术路线和“终极目标”的技术方案，以及提出新的发光材料。为此，本文除简要描述半导体照明上游产
https://www.alighting.cn/2013/8/13 9:58:57
为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作gan基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
n衬底材料工艺对发展gan半导体器件产业至关重要
https://www.alighting.cn/resource/20100607/128384.htm2010/6/7 0:00:00
采用温梯法生长了非极性gan外延衬底r(012)面蓝宝石,使用化学机械抛光加工衬底表面,对衬底的结晶质量、光学性能和加工质量进行了研究.结果显示r面蓝宝石衬底基本性能参数如下
https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02
对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)塑料上的氧化铟锡(ito)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。实验结果证明,完全可以采用磁控溅射的方法在柔性
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126128.htm2013/1/23 10:29:32
