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P2-dmn系统充分吸取了dali系统的优点，在此基础上对dali地址结构改进为三维寻址，最大连接区域子网地址：256*256*256=16777216个灯具，可以对地址点、线、
http://blog.alighting.cn/DMXN-P2/archive/2014/3/11/349149.html2014/3/11 19:10:12
个固定值）。 常规情况下当一条护栏管做好以后，密封良好封闭在管中的气体摩尔量n是固定不变的，假定体积v是不变的，温度t变化，由此导致压强P跟随变化，这个变化状态量之间的关系由下列数
http://blog.alighting.cn/yanyulighting/archive/2008/6/17/28.html2008/6/17 23:33:00
用环境下可以认为是一个固定值）。 常规情况下当一条护栏管做好以后，密封良好封闭在管中的气体摩尔量n是固定不变的，假定体积v是不变的，温度t变化，由此导致压强P跟随变化，这个变
http://blog.alighting.cn/baily18/archive/2009/12/26/22398.html2009/12/26 15:22:00
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http://blog.alighting.cn/szlisten/archive/2013/2/20/309840.html2013/2/20 20:05:20
成专用硬件电路与单片机接口可大幅度提高数据传输的速度，但成本也将同步大幅度提高。在图2所示的系统中采用了以下的设计理念：①由P0口同步输出8位字型点阵数据。②用P3.6产生sck信
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230502.html2011/7/20 23:21:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232666.html2011/8/18 1:23:00
1 331 471 102。100P 3kv nP0 1808/1812封装 220P 3kv nP0 1808或1812封装- 820P 2kv nP0 1812封装102 2k
http://blog.alighting.cn/w114749610/archive/2010/11/9/112989.html2010/11/9 14:46:00
料质量、器件指标等方面取得了重要进展。同时对gan基led的可靠性也进行了比较深入的研究。 gan基led的退化机理主要包括封装材料退化、金属的电迁移、P型欧姆接触退化、深能级与
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00
究，在材料质量、器件指标等方面取得了重要进展。同时对gan基led的可靠性也进行了比较深入的研究。 gan基led的退化机理主要包括封装材料退化、金属的电迁移、P型欧姆接触退化、深能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
