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1月15日下午，中山市半导体照明行业协会第二届理事会第三次会议暨中山市半导体照明企业联盟标准启动仪式在中山市小榄镇小榄工业大道南创益路7号光阳电器一楼多功能会议厅举行。会议由半导
https://www.alighting.cn/news/20160118/136486.htm2016/1/18 10:03:18
在业界，大家把厦门led产业的特色誉为“厦门模式”，是全国14个国家半导体照明产业化基地的发展样本之一。厦门市光电产业经过十几年的培育和发展，成绩斐然，厦门半导体照明产业基地也成
https://www.alighting.cn/news/20170411/149861.htm2017/4/11 10:11:16
今日早间，德豪润达发布公告，近日，控股子公司蚌埠三颐半导体有限公司(以下简称“蚌埠三颐半导体”)收到蚌埠市财政局《关于下达2015-2016年度国家进口贴息资金的通知》，蚌埠三
https://www.alighting.cn/news/20170930/152981.htm2017/9/30 9:25:02
英飞凌拟收购st半导体，据外媒报告，双方已举行了早期会谈。2017年，英飞凌营收70.63亿欧元(约82亿美元)，意法半导体营收83亿美元。二者若合并则将诞生165亿美元的半导
https://www.alighting.cn/news/20180806/157924.htm2018/8/6 10:02:42
备。2.氢化物汽相外延片(hvpe)技术 采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜，可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶ga
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57
素化合的化合物。gap是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为led主要使用材料之一。GaN氮化镓。氮化镓,是ⅲ-ⅴ族元素化合的化合
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的mg掺杂GaN。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化镓（inGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/3/318631.html2013/6/3 17:22:44
案例相关信息：
http://blog.alighting.cn/lutudou/archive/2009/3/28/12620.html2009/3/28 10:56:00
