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国 iii-N techNology，3N技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261561.html2012/1/8 21:50:48
此led驱动ic的输出电压是vf x N或vf x 1, if恒流在15-1400ma。led灯具使用的led光源有小功率(if=15-20ma)和大功率(if200ma))二种，
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261555.html2012/1/8 21:49:48
1w为350ma,3w为700ma。需要让led发光只需要让led正向通过以上电流就可以了，跟电压等无
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261549.html2012/1/8 21:49:36
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，中间通常是1至5
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261547.html2012/1/8 21:49:16
镓(ga)铟(iN)磷(p)氮(N)锶(ｓi)这几种元素中的若干种组成。 三、led晶片的分类 1、按发光亮度分： a、一般亮度：r﹑h﹑g﹑y﹑e等 b、高亮度：vg﹑vy
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261544.html2012/1/8 21:49:07
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261534.html2012/1/8 21:48:44
对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 Nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 Nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42
于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 Nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 Nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10
前最新的製程是用混合铝(al)、钙(ca) 、銦(iN)和氮(N)四种元素的algaiNN 的四元素材料製造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。发光强度：发
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02
