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生在势垒区中的非平衡电子和空穴或产生在势垒区外但扩散进势垒区的非平衡电子和空穴,在内建静电场的作用下,各自向相反方向运动,离开势垒区,结果使P区电势升高,n区电势降低,从而在外电路中
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法简单地将分立器件的封装用于led。led的核心发光部分是由P型和n型半导体构成的Pn结管芯,当注入Pn结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外光或近红外光。但Pn结
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样的方法在蓝光gan-led上迭放一层alingaP半 导体复合物,也生成了白光。led晶圆制程衬底结构设计缓冲层生长n型gan层生长多量子阱发光层生长P型gan层生长退火检测(光荧
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u的估算假定利用系数u在0.2-0.3之间。(5)每瓦LED-光通量以蓝光为例,取单位功率(每瓦)10-15lm.(6)etfe气枕每平米表面所需功率约为6-15w,取6w。经过试
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度和气氛中易分解和腐蚀。目前,zno半导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件,主要是材料质量达不到器件水平和P型掺杂问题没有得到真正解决,适合zno基半导体材料生长的设备尚
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用的材料是砷(as)化??(ga) ,其正向Pn结压降(vf,可以理解为点亮或工作电压)为1.424v,发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(P)化??(ga),其正向Pn
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1 led 驱动半导体发光二极管的特点 发光二极管和普通二极管一样是一种用半导体材料制作的P / n 结器件,除了能发光之外,其他特性和普通二极管相似。发光二极管主要有两个特
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m采用误差放大器反馈输出的方式调节脉宽。在有一定负载情况下,开关频率取决于n管开启时间tn和P管开启时间tP。 其中tPㄒkP/(vout-vin);tnㄑkn/vin 在轻负载
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的，但有别于小尺寸晶粒，高功率led常常需要操作在大电流之下，一点点不平衡的P、n电极设计，都会导致严重的电流丛聚效应（current crowding），其结果除了使得led晶
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种陶瓷填充的特殊的聚合物构成，热阻小，粘弹性能优良，具有抗热老化的能力，能够承受机械及热应力。ims-h01、ims-h02和LED-0601等高性能Pcb铝基板的导热绝缘层正是使
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