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h）异质结led相对于同质结led来说，其p区和n区有带隙不同的半导体组分。在异质结中，宽带隙材料叫势垒层，窄带隙材料叫势阱层。只有一个势垒层和势阱层的结为单异质结（sh），有两个势
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115032.html2010/11/18 16:39:00
业合作论坛第3分组，大陆半导体照明产业联盟副祕书长耿博指出，台湾led业者到大陆投资相当多，但相对大陆业者到台湾参股却有20%上限，他觉得很不合理。 他指出，台湾一直希望两岸携手做
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/11/25/300429.html2012/11/25 10:23:58
部分。该倡议已获得联合国工业发展组织的大力鼓励。来源：半导体照明网海林电子-专业led照
http://blog.alighting.cn/145509/archive/2012/8/30/288640.html2012/8/30 14:37:05
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304435.html2012/12/17 19:37:10
本文提出了一种基于mems的led芯片封装技术,利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装led芯片的反射腔。分析了反射腔对led的发光强度和光束性能的影响,分析结果表明该反射腔可
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1065.htm2010/1/18 14:49:11
继6寸晶圆产线陆续启动后，发光二极体(led)制造商已投入8、12寸晶圆的研发，如普瑞光电(bridgelux)即成功以8寸矽晶圆制造的矽基氮化镓(GaN-on-silico
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127599.htm2011/5/17 17:53:02
国家发改委、科技部、工信部、财政部、住建部、国家质检总局等六个部委日前联合发布《半导体照明节能产业规划》以下简称“规划”，《规划》明确了半导体照明节能产业至2015年的发展从现状
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2013/2/27/310270.html2013/2/27 16:42:14
晶和公司的硅衬底氮化镓基led材料与器件技术诞生，改写了国际半导体照明的历史。我国国家863专家组评价道：“它打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国cree公司垄断碳化硅衬底半导
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/4/24/315436.html2013/4/24 16:01:47
出了商用led产品，30年以来，led发光效率每10年提高10倍，到上世纪末，共提高了1,000倍。haitz等人于1999年10月提出了“另一次半导体革命”，揭开了半导体照明革
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/12/6/302622.html2012/12/6 22:01:41
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304192.html2012/12/17 19:34:10
