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动mosfet。从性价比的角度来说，推荐使用需要浮动栅极驱动的N通道场效应晶体管(fet)。这需要一个驱动变压器或浮动驱动电路(其可用于维持内部电压高于输入电压)。 图1还显
http://blog.alighting.cn/guangxi/archive/2011/8/20/233233.html2011/8/20 9:22:00
证生产的重复性与稳定性。总部位于南昌研制gaN-oN-simocvd生长技术的晶能光电，近日开发出一款采用1×1mm芯片冷白光led，在350ma电流下光输出超过100流明。目前绝
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233212.html2011/8/20 0:34:00
行了优化。Ncp1014/Ncp1028采用350ma/22v直流变压器设计及700ma/17v的直流配置。需要说明的是，如果针对230v交流线路使用另一种可选变压器，则该转换器能
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233191.html2011/8/20 0:27:00
对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 Nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 Nm) 18.8 mw，其外量子效率
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00
心最重要的部分和通往drift的主入口工程已经完工。图书馆中有350张学习桌和阅览桌。在随后几年，与图书馆毗邻的建筑将被陆续翻新。整个的区域中包含有六栋建筑，其中一些将作为书店和档案
http://blog.alighting.cn/miamia/archive/2011/8/20/233172.html2011/8/20 0:22:00
国 iii-N techNology，3N技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233114.html2011/8/20 0:04:00
此led驱动ic的输出电压是vf x N或vf x 1, if恒流在15-1400ma。led灯具使用的led光源有小功率(if=15-20ma)和大功率(if200ma))二种，
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233100.html2011/8/20 0:00:00
率超过350%的开发项目。通过将地块的南北轴线旋转45度揭示了适合高密度建筑的新方法。45度的‘摇摆’使得相邻建筑的立面错开，各自转向其它方向成为可能。同时正北向居室消失，所有立
http://blog.alighting.cn/miamia/archive/2011/8/19/233096.html2011/8/19 23:59:00
1w为350ma,3w为700ma。需要让led发光只需要让led正向通过以上电流就可以了，跟电压等无
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233090.html2011/8/19 23:57:00
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，中间通常是1至5
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233086.html2011/8/19 23:56:00
