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作时除p区向N区注入电荷（空穴）外，N区也会向p区注人电荷（电子），一般情况下，后一类的电荷注人不会产生光电效应，而以发热的形式消耗掉了。即使有用的那部分注入电荷，也不会全部变成
http://blog.alighting.cn/leddlm/archive/2011/7/24/230666.html2011/7/24 17:25:00
围内,半峰宽接近20Nm,led功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01ma下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350ma下发光效率达104 lm/w,并能够满足3w的应用市
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16
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http://blog.alighting.cn/aidel2/archive/2011/7/21/230564.html2011/7/21 16:35:00
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http://blog.alighting.cn/aidel2/archive/2011/7/21/230563.html2011/7/21 16:34:00
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http://blog.alighting.cn/aidel2/archive/2011/7/21/230561.html2011/7/21 16:32:00
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http://blog.alighting.cn/aidel2/archive/2011/7/21/230560.html2011/7/21 16:30:00
高的反向电压很容易损坏(led)，并具有与 常规二极管类似的低动态阻抗v-i特性。另外，led一般都有安全导通时的额定电流(高亮度led的额定电流一般为350ma或700ma)。通
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230497.html2011/7/20 23:20:00
入电源电压。图1给出了在eN引脚施加幅值为3v、频率为10khz、占空比为50%的pwm信号，使led电流从700ma降至350ma时的输入电源电流波形，可见它的输入电源电流纹波的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230498.html2011/7/20 23:20:00
层，露出多量子阱N型有源区；第三步，沉积、刻蚀形成N型欧姆接触区。芯片尺寸为1mmxlmm，p型欧姆接触区为正方形，N型欧姆接触区为梳状形，这样可以减小电阻。第四步，将带有金属化凸点的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
d供电，提供350ma (典型)电流(其它led配置结构，请按照设计步骤进行设计)* 29v (典型值)阳极对地的最大开路电压* 262khz开关频率* 逐周期限流* 通/断控制输入
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230479.html2011/7/20 23:10:00
