站内搜索
6月11日，“2011湖南省节能宣传周活动暨中国（长沙）第三届节能科技产品交易博览会”在长沙红星国际会展中心盛大启动。我公司以“节能N次方，地球更健康”为主题的led照明产品展
http://blog.alighting.cn/ledled/archive/2011/7/20/230364.html2011/7/20 9:30:00
2 mbembe是直接以ga的分子束作为ga源，以Nh 3为N源，在衬底表面反应生成gaN。该方法可以在较低的温度下实现gaN的生长，有可能减少N的挥发，从而降低背景电子浓度。其生长反
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gaN基led，p型电极和N型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近N型电极处电流密度很大，所以在正常工作条件下也存在金
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由p型和N型半导体构成的pN结管芯，当注入pN结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
要产生350毫安的恒定电流，您将需要：r=v/i，此时r=(5v-3.0v)/350ma=5.7ω。可以看到，采用这些值，r将消耗r×i2即0.7瓦(几乎相当于led的功率)，因此总
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230337.html2011/7/20 0:14:00
统(soc，sys-tem 0N chip)的总线标准。最初是由silicore公司提出的。现在已被移交给开源组织opeNcores维护。它因结构极其简单、灵活、可移植性好，又完
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230326.html2011/7/20 0:09:00
容，这不仅可以缩小电路尺寸，还能改善整体电源的可靠度，以下为相关电路的电路图。图一：115 vac, 350 ma配置的电路设计图。 这个电路图显示非隔离转换器电路的最基本实现方
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230321.html2011/7/20 0:07:00
但额定电流却完全一致，如 350 ma 或 700 ma。除了单只销售以外，hbled还广泛以包含多支相连发光管的面板形式出售。原文位置 串联 hbled电路中每只 led电流相
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230317.html2011/7/20 0:05:00
及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由p型和N型半导体构成的pN结管芯，当注入pN结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230306.html2011/7/19 23:56:00
及2个Nmos管s4、s6组成，如图4所示。以p管s1和N管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的宽长比w／l可以设定为2.8μm／0.6μm。假设s1的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230304.html2011/7/19 23:55:00
