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高亮度led照明领域上的发展趋势(图)

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led。

  https://www.alighting.cn/resource/20071211/V13119.htm2007/12/11 9:22:20

英国启动新计划将固态led光源商业化

2007年7月26日,英国商业、企业和改革部(dberr)已发起名为 novelels的计划,致力于开发新型GaN芯片技术,将

  https://www.alighting.cn/news/2007810/V8222.htm2007/8/10 10:13:49

高亮度led照明领域上的发展趋势(图)

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led。

  https://www.alighting.cn/news/20071211/V13119.htm2007/12/11 9:22:20

[光源设计]白光led的开发设计

1998年发白光的led开发成功。这种led是将GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。

  https://www.alighting.cn/news/2010119/V22621.htm2010/1/19 9:09:36

高亮度led制程发展趋势和高效率化技术

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led

  https://www.alighting.cn/news/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24

【led照明第二幕】(二)绿色led取得突破,利用si基板大幅削减成本

GaN on si并不是新技术。该技术虽然备受期待,但直到最近才开始推进实用化,这是因为一直未能解决技术课题……

  https://www.alighting.cn/news/20140630/97440.htm2014/6/30 14:09:34

晶电再次订购aixtron ag 多台mocvd

近日,mocvd设备大厂aixtron ag又宣佈佈获台湾led上游大厂晶元光电(epistar)多台mocvd订单,用于量产GaN led。

  https://www.alighting.cn/news/20071026/106944.htm2007/10/26 0:00:00

大功率led的热量分析与设计

能和膨胀系数要连续匹配。避免导热通道中产生散热瓶颈或因封装物质的膨胀或收缩产生的形变应力,使欧姆接触、固晶界面的位移增大,造成led开路和突然失效。  目前测量半导体器件工作温度及热

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115543.html2010/11/20 23:43:00

致阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信

项,美国欧盟日本等授权20多项)。同时,硅衬底led技术获得了国家领导人和各部委的高度肯定和大力支持,获批了国家硅衬底半导体照明工程技术研究中心以及固态光源国家地方联合工程研究中

  http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/5/15/317208.html2013/5/15 10:08:53

led技术渐趋成熟

注,在政策方面给予大力支持,如制定半导体照明技术及产业发展规划,加速白炽灯等高耗能照明光源淘汰计划,出台示范应用与推广的政策,重视并积极推动检测与标准化进程,抢占行业主导权等。

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2012/10/9/292635.html2012/10/9 10:35:59

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