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s swaN公司都已经开发出用于工业化生产的ⅲ族氮化物mocvd(lp-mocvd)设备。 2.2 mbe mbe是直接以ga的分子束作为ga源，以Nh 3为N源，在衬底表面反应生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
出。为获得好的电流扩展,Ni-au金属电极层就不能太薄。为此,器件的发光效率就会受到很大影响,通常要同时兼顾电流扩展与出光效率二个因素。但无论在什?N情况下,金属薄膜的存在,总会
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
光的acled，其次是美国iii-NtechNology，3N技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二
http://blog.alighting.cn/breadtree/archive/2011/6/20/222171.html2011/6/20 13:49:00
d的工作电流：一般led的额定工作电流20毫安,有的工厂一开始就用到尽,设计20毫安,实际上此电流下工作发热很严重,经多次对比试验,设计成17毫安是比较理想的。N路并联的总电流=1
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229860.html2011/7/17 22:44:00
样的方法在蓝光gaN-led上迭放一层aliNgap半 导体复合物,也生成了白光。led晶圆制程衬底结构设计缓冲层生长N型gaN层生长多量子阱发光层生长p型gaN层生长退火检测(光荧
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(p极,N极),接下来就用激光切割外延片,然后百分百分捡,根据不同的电压,波长,亮度进行全自动化分检,也就是形成led晶片(方片)。然后还要进
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
→窗口图形光刻→sio2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→p极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。其实外延片的生产制作过程是非常复杂的,在展完外延片
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
底杂质浓度。若生长温度降低,则外延层的载流子浓度也随之下降；提高as/ga比,则有可能引起材料的导电类型从p型转向N型。(3)、金属有机物和ash3的纯度反应物质的纯度将严重地限制
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
度适合。?ゼbr②可获得电导率高的p型和N型材料。③可获得完整性好的优质晶体。④发光复合几率大。外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
池板的基本荷载为730N。考虑1.3的安全系数,f = 1.3×730 = 949N。所以,m = f×1.545 = 949×1.545 = 1466N.m。根据数学推导,圆环
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229966.html2011/7/17 23:39:00
