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国 iii-N techNology，3N技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261561.html2012/1/8 21:50:48

极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262708.html2012/1/29 0:39:07

国 iii-N techNology，3N技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262735.html2012/1/29 0:41:22

极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271810.html2012/4/10 23:37:24

是高位先移入，每个数据位在时钟的上升沿被采样，下降沿被打出；第一个数据帧对应距移入端最近的led 灯，N 表示芯片数量。结束符= 1 位“0”+ 24 位“1”，但在实际编程中，按字

http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/4/16/272247.html2012/4/16 16:58:52

量照射在1平方米(m2)面积上的亮度。用这种方法求房间地板面的平均照度时,在整体照明灯具的情况下,可以用下列公式进行计算。　　平均照度(eav)= 单个灯具光通量φ×灯具数量(

http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2012/5/2/273424.html2012/5/2 15:28:44

极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274710.html2012/5/16 21:27:34

管其核心是pN结。因此它具有一般p-N结的i-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入p区，空穴由p区注入N区。进

http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/5/22/275792.html2012/5/22 16:06:38

算。　　平均照度(eav)= 单个灯具光通量φ×灯具数量(N)×空间利用系数(cu)×维护系数(k)÷地板面积(长×宽)　　3、公式说明　　1、)单个灯具光通量φ，指的是这个灯具

http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2012/6/5/277736.html2012/6/5 9:06:45