检索首页
阿拉丁已为您找到约 22544条相关结果 (用时 0.0178588 秒)

日立电线新品氮化镓模板可增强led特性

日立电线株式会社宣布成功开发出在蓝宝石板上生长的高质量氮化镓(GaN)单晶薄膜的GaN模板全新量产技术,并已开始销售。通过将该产品用作“白色led外延片”的底层板,可以大幅提

  https://www.alighting.cn/news/2013510/n857651594.htm2013/5/10 10:52:50

华灿光电成功研制新型蓝绿光led芯片

武汉华灿光电有限公司的技术团队采用超晶缓释应力等新型衬底技术,通过优化结构设计,优化分子束外延和金属有机化学气相沉积工艺,开发出具有独立知识产权的超高亮度GaN绿色发光二极管外

  https://www.alighting.cn/news/2007522/V8003.htm2007/5/22 13:56:23

中村修二上海报告近期led研究工作及成果

中村修二教授的报告题目名为“recent advances in nonpolar and semipolar GaN for blue and green lase

  https://www.alighting.cn/news/20121226/n474247336.htm2012/12/26 9:46:47

大陆pk日、美、德 led芯片核心技术落后20年

GaN和sic对功率电子市场来说还不成熟。前者要求在制造工艺上做技术改进,特别是外延厚度;而后者,目前是一种昂贵的材料,不适合在消费类市场使用。更先进的sic和GaN,中国是完

  https://www.alighting.cn/news/201396/n370855917.htm2013/9/6 10:42:55

led照明材料后起之秀—石墨烯产业发展现状

据ibm的研究人员发现石墨烯材料能大幅降低采用氮化镓(GaN)制造的蓝光led成本。跟昂贵的sic或蓝宝石晶圆片、且只能单次使用以长出GaN薄膜的传统方式相比,这种新方法的成本效

  https://www.alighting.cn/news/20141202/86567.htm2014/12/2 9:37:18

delta掺杂技术,提高氮化物led的抗静电能力

中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的GaN作为n型覆层,显著提高了氮化物led的抗静电能力,这个改善是因为外延GaN材料晶质量的改善和器件电流扩

  https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46

led光源在灯具中的应用

有更广阔的使用前景。  但是就目前的工艺技术和使用情况来看,led光源还远远没有发挥出它应有的潜力。  一、二极管发光原理  要了解二极管的发光原理,首先要了解半导本知识。半

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9230.html2008/10/30 20:13:00

中村开发高亮度蓝光led全过程(二)

度真空沉积技术。制造使用硅及gaas等化合物半导的元件时,需要使用这种技术。注2)mocvd(metal orGaNic chemical vapor deposition)法是

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/14/40243.html2010/4/14 22:51:00

发光二极管封装结构及技术

数,又有光参数的设计及技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由p型和n型半导构成的pn结管芯,当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00

led的多种形式封装结构及技术

数,又有光参数的设计及技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于led。   led的核心发光部分是由p型和n型半导构成的pn结管芯,当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时,就

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00

首页 上一页 841 842 843 844 845 846 847 848 下一页