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大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262785.html2012/1/29 0:45:12
由于蓝宝石基板的导热係数差，影响led的发光效率。为了解决led的散热难题，未来有可能将主要采用垂直结构led的架构，促进led产业的技术发展。关于垂直结构led技术相信大家都有
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
性，提高了芯片寿命。2）键合技术 algainp和algainn基二极管外延片所用的衬底分别为gaas和蓝宝石，它们的导热性能都较差。为了更有效的散热和降低结温，可通过减薄衬底或去
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262745.html2012/1/29 0:42:26
据高工led 产业研究所调查，一些中大功率的led芯片已经开始涨价，蓝宝石材料也出现短缺，对于大功率led芯片严重依赖进口的中国企业来说，并不是一个积极信号。目前led主流芯片制
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262709.html2012/1/29 0:39:12
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或sic,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262704.html2012/1/29 0:38:54
法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ｇａｎ基ｌｅｄ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用ｔｉ／ａｌ／ｔｉ／ａｕ结构，ｐ欧姆接触电极用氧化ｎｉ／ａｕ透明电极，焊线电极
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55
对较低所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路化一体封装伺服电路预留下了安装空间） 2.4蓝宝石衬底过渡法： 按照传统的ingan芯片制造方法在蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42
gt advanced technologies(gtat)是多晶硅生产技术、蓝宝石和硅晶体生长系统以及相关材料的全球领先供应商，公司业务主要由solar、le
https://www.alighting.cn/news/20120112/114639.htm2012/1/12 9:58:35
再投led蓝宝石四联产能直指全球老大…
https://www.alighting.cn/news/201219/n273336981.htm2012/1/9 11:06:07
