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http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2011/1/4/125682.html2011/1/4 13:14:00
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http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2011/1/4/125675.html2011/1/4 13:08:00
fbm202模块 P0926eq，fbm202模块 P0926eq，fbm202模块 P0926eq，fbm202模块 P0926eq，fbm202模块 P0926eq，fb
http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2011/1/4/125674.html2011/1/4 13:07:00
延材料、器件设计、管芯工艺到封装和应用设计的各个方面。其中主要包括衬底材料、大失配外延低温缓冲层、P型gan的掺杂及退火激活技术、高质量ingan材料的生长及控制技术、P
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00
料是砷(as)化鎵(ga) ，其正向Pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(P)化鎵(ga)，其正向Pn结压降
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120886.html2010/12/14 21:52:00
据以串行方式从89c52的P12口输出送往移位寄存器74ls164的a、b端，然后将变成的并行数据从输出端q0～q7输出，以控制开关管wt1～wt8的集电极，然后再将输出的led段
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120875.html2010/12/14 21:49:00
了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米。厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在P-gan层表面均匀和可靠地扩散大电流的能力。因此这种P型接触结构制约了led芯片的工作功
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
子从电源获得能量，在电场的驱动下，克服Pn结的电场，由n区跃迁到P区，这些电子与P区的空穴发生复合。由于漂移到P区的自由电子具有高于P区价电子的能量，复合时电子回到低能量态，多
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120869.html2010/12/14 21:47:00
结不可能极端完美，元件的注人效率不会达到100%,也即是说，在led工作时除P区向n区注入电荷（空穴）外，n区也会向P区注人电荷（电子），一般情况下，后一类的电荷注人不会产生光电效
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120864.html2010/12/14 21:45:00
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00
