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法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ｇａｎ基ｌｅｄ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用ｔｉ／ａｌ／ｔｉ／ａｕ结构，ｐ欧姆接触电极用氧化ｎｉ／ａｕ透明电极，焊线电极
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或sic,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258536.html2011/12/19 10:58:43
据高工led 产业研究所调查，一些中大功率的led芯片已经开始涨价，蓝宝石材料也出现短缺，对于大功率led芯片严重依赖进口的中国企业来说，并不是一个积极信号。目前led主流芯片制
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258531.html2011/12/19 10:58:33
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258494.html2011/12/19 10:56:26
性，提高了芯片寿命。2）键合技术 algainp和algainn基二极管外延片所用的衬底分别为gaas和蓝宝石，它们的导热性能都较差。为了更有效的散热和降低结温，可通过减薄衬底或去
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
由于蓝宝石基板的导热係数差，影响led的发光效率。为了解决led的散热难题，未来有可能将主要采用垂直结构led的架构，促进led产业的技术发展。关于垂直结构led技术相信大家都有
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258444.html2011/12/19 10:49:37
日前，江苏双良集团有限公司透露，该公司引进的乌克兰西奴斯公司蓝宝石长晶炉技术首批样机制作完成并顺利通过测试。双良集团此次引进包含全套的乌克兰蓝宝石炉制造及长晶工艺技术，预计85k
https://www.alighting.cn/news/20111216/114983.htm2011/12/16 10:23:29
住友金属矿山决定开展蓝宝石基板业务，将在子公司大口电子新设大型结晶生长炉，构筑从蓝宝石结晶生长到基板加工的一条龙生产体制。将量产直径6英寸的蓝宝石基板。设备投资额包括已投资在
https://www.alighting.cn/news/20111214/114074.htm2011/12/14 10:05:13
日本sumitomo metal mining co ltd(smm)公司近日对外公布，该公司拟投资12亿人民币，于其子公司okuchi electronics公司建大尺寸蓝宝石
https://www.alighting.cn/news/20111214/114076.htm2011/12/14 9:48:03
