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http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246791.html2011/10/20 17:21:07

砷(as)化鎵(ga) ，其正向Pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(P)化鎵(ga)，其正向Pn结压降为2

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258572.html2011/12/19 11:01:04

t Power chiP led生产方式。）美国lumileds公司2001年研制出了algainn功率型倒装芯片（fcled）结构，具体做法为：第一步，在外延片顶部的P

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50

带制成的无填料的P3型不锈钢软管，由不锈钢带卷绕而成，用作电线保护管。 6.软管节距之间应灵活并有撑力弹性，不允许有阻塞和严重的拉力弹性。针对软管产品市场消费的混乱现象的治理，商

http://blog.alighting.cn/112426/archive/2011/12/20/258875.html2011/12/20 16:11:10

型指示灯或非全彩的字符显示器件应用。1.2 led的简明原理完全纯净的半导体称为本征半导体。如果在本征半导体分别扩散不同的杂质，就会各自形成P型半导体和n型半导体。此时将会在P型半

http://blog.alighting.cn/lrjflash/archive/2012/1/2/260774.html2012/1/2 16:39:57

n结??光区发出的光透过上面的P型区射出。由于P型gan传导性能不佳,为获得良好的电流扩展,需要通过蒸镀技术在P区表面形成一层ni-au组成的金属电极层。P区引线通过该层金属薄膜引

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40

t Power chiP led生产方式。）美国lumileds公司2001年研制出了algainn功率型倒装芯片（fcled）结构，具体做法为：第一步，在外延片顶部的P

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10

砷(as)化鎵(ga) ，其正向Pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(P)化鎵(ga)，其正向Pn结压降为2

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02

t Power chiP led生产方式。）美国lumileds公司2001年研制出了algainn功率型倒装芯片（fcled）结构，具体做法为：第一步，在外延片顶部的P

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42

砷(as)化鎵(ga) ，其正向Pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(P)化鎵(ga)，其正向Pn结压降为2

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262668.html2012/1/29 0:36:52