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伊拉克sgs认证库尔德地区的coc清关证书哪里可以申请?

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  http://blog.alighting.cn/120947/archive/2012/5/28/276439.html2012/5/28 21:26:33

经fcc verified或certified的产品不能使用fcc logo

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  http://blog.alighting.cn/120947/archive/2012/5/28/276457.html2012/5/28 22:23:55

电源产品 如何选择合适的emc标准?

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  http://blog.alighting.cn/120947/archive/2012/5/28/276462.html2012/5/28 22:43:35

diodes 推出可去除杂波的100v线性led驱动器

diodes公司推出AL5801线性发光二极管(led)驱动器,仅需两个外加组件,就可以为设计人员简化汽车内部、指示牌及一般照明控制电路。这款占位小、采用sot26封装的器件,

  https://www.alighting.cn/pingce/20120723/122833.htm2012/7/23 14:04:08

两步镀膜ti/AL/ti/au的n型gan欧姆接触研究

n,最后蒸镀ti(100nm)/au(1000nm)用于保护AL层不被氧化。该接触电极有良好的欧姆接触特性,比接触电阻率为8.8×10-5ωcm2,表面平坦、稳定、易焊线,可应用于制

  https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54

mocvd外延AL_2o_3基ALgan/gan超晶格的结构和光学特性

通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(AL2o

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

lp-mocvd生长ingan及ingan/gan量子阱的研究

利用mocvd系统在AL2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

氧化处理的蓝宝石基片上沉积的zno/mgo多量子阱的结构及光学性质研究

采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的AL2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27

led荧光粉浅析

白光led是要使用的荧光粉有日亚专利的yag和欧司朗专利的tag。 yag主要是y3AL5o12:ce以及其变化衍生物(例如在AL内加入ga),yag比较容易做

  http://blog.alighting.cn/tyqtyq/archive/2009/5/16/3425.html2009/5/16 18:40:00

出口美国的电子产品都可以使用fcc标志吗?

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  http://blog.alighting.cn/120947/archive/2012/5/28/276461.html2012/5/28 22:40:29

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