站内搜索
对GaN基白光二极管(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击，每次静电打击后，测量led电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42
研究了低能电子束辐照(leebi)对大功率GaN 基蓝光led 性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对蓝光led 进行leebi，并对比未辐照的led，研究其电
https://www.alighting.cn/2014/10/20 11:16:19
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
GaN在 (0 0 0 1)方向是一种极性极强的半导体材料 ,它具有极强的表面特征 ,是目前发现的最好的压电材料 ,而GaN的极性呈现出体材料的特征 ,它的测量要用一些特殊的方
https://www.alighting.cn/resource/20110423/127701.htm2011/4/23 18:39:53
尽管ic销售额连续达到创记录的数据，但是下半年可能步入另增长态势，这是sia对于未来半导体业作了最新研究后的看法。
https://www.alighting.cn/news/201085/V24619.htm2010/8/5 10:11:18
到2015年，印度半导体产值可达3,600亿美元，届时半导体产业将成为印度全国从业人数最多的产业之一。
https://www.alighting.cn/news/200757/V2405.htm2007/5/7 14:36:44
采用光激励与电激励的方式对algainp与inGaN/GaN基led的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响led理想因子的因
https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09
对前期工作中使用crosslight apsys软件模拟的6种优化电极的GaN基inGaN/GaN多量子阱蓝光led芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进
https://www.alighting.cn/2011/12/6 16:52:22
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
GaN基蓝光led高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光led器件结构的发展，阐述了为改善led性能的一些新措施，led在照明光源上的应用优势，给
https://www.alighting.cn/2014/10/11 11:37:06
