检索首页
阿拉丁已为您找到约 323条相关结果 (用时 0.1279521 秒)

晶能光电硅衬底GaN基大功率led芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”

在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅衬底GaN基大功率led芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的led芯片产品。

  https://www.alighting.cn/news/2014620/n298263171.htm2014/6/20 13:58:42

硅衬底GaN基大功率led芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”

在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅衬底GaN基大功率led芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的led芯片产品。

  https://www.alighting.cn/news/20140620/110996.htm2014/6/20 13:21:24

解读半导体照明材料与芯片应用现状

上世纪末,半导体照明开始出现并快速发展,其中一个核心前提是蓝光GaN基发光材料的生长和器件结构的制备,而未来材料和器件结构技术的水平也终将决定半导体照明技术的高度。

  https://www.alighting.cn/news/20140605/86888.htm2014/6/5 9:13:57

led行业未来3年硅基 GaN专利战将全面打响

硅基GaN衬底面临一些技术挑战。GaN和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力,这会引起薄

  https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47

“10.6%”成为GaN led营收最后的两位数增长数字

得益于照明以及平板电脑和手机的背光需求,2013年全球氮化镓led营收从2012的112亿美元增至124亿美元,增幅为10.6%,但这将是该市场最后一次市场两位数增长,到2014年

  https://www.alighting.cn/news/20140219/98146.htm2014/2/19 9:53:42

led照明迎来新增长 芯片原材料镓和铟金属受益

led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前,基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业应用价

  https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29

soraa拟在纽约建新厂 用于制造GaN on GaN led产品

美国公司soraa于21日宣布将与纽约州合作,在纽约州水牛城建立半导体制造工厂,并聘请数百名工人。新工厂准备用于制造最先进的GaN on GaN led产品,预计将在2015年投

  https://www.alighting.cn/news/20131122/111369.htm2013/11/22 10:45:30

大陆pk日、美、德 led芯片核心技术落后20年

GaN和sic对功率电子市场来说还不成熟。前者要求在制造工艺上做技术改进,特别是外延厚度;而后者,目前是一种昂贵的材料,不适合在消费类市场使用。更先进的sic和GaN,中国是完

  https://www.alighting.cn/news/201396/n370855917.htm2013/9/6 10:42:55

新广联:脚步坚实 力求创新 稳中求胜

随着政府财政的叫停,终端市场的进一步恶化,国际市场的需求乏力,对于普遍缺乏核心技术,缺少强而有力的核心研发团队的国内led芯片企业来说,2012年过的尤为艰难,在危机面前,所有的芯

  https://www.alighting.cn/news/20130723/85469.htm2013/7/23 9:53:35

美科学家开发下一代“完全整合”led元件

伦斯勒理工学院(rensselaerpolytechnicinstitute)的智慧照明工程技术研究中心稍早前宣布,已经成功地在相同的氮化镓(GaN)上整合led和功率电晶体。研

  https://www.alighting.cn/news/201371/n318353327.htm2013/7/1 10:13:24

首页 上一页 7 8 9 10 11 12 13 14 下一页