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料质量、器件指标等方面取得了重要进展。同时对gan基led的可靠性也进行了比较深入的研究。 gan基led的退化机理主要包括封装材料退化、金属的电迁移、P型欧姆接触退化、深能级与
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
构设计缓冲层生长n型gan层生长多量子阱发光层生长P型gan层生长退火检测（光萤光、x射线）外延片片外延片设计、加工掩模版光刻离子刻蚀n型电极（镀膜、退火、刻蚀）P型电极（镀膜、退
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
以P管s1和n管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的宽长比w／l可以设定为2.8μm／0.6μm。假设s1的宽长比为x(w／l)，s4的宽长比为y(w／
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120540.html2010/12/13 23:01:00
聚乙炔、聚噻吩及其衍生物的有机共轭聚合物。近年来，人们发现在发光与其它性能都比较优良的聚合物中，电致发光薄膜材料有Pbd,PbP,Prl,Pmma,PPv, P vcz等。 在国
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
yag：ce（y3al5o12: ce）荧光粉早在20世纪60年代就已被研制出来，并且被应用于阴极射线飞点扫描管中（阴极射线荧光粉的牌号为P46），它主要是利用该荧光粉的超短余
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120516.html2010/12/13 22:50:00
这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和P型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
d产生的热量究竟有多大？led在正向电压下，电子从电源获得能量，在电场的驱动下，克服Pn结的电场，由n区跃迁到P区，这些电子与P区的空穴发生复合。由于漂移到P区的自由电子具有高于P区
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120510.html2010/12/13 22:47:00
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型gan层生长 - 多量子阱发光层生 - P型gan层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
发的光会在峰值λP处有所展开，其波长半宽度通常为10—30nm， 半宽度越越小，说明led器件的材料越纯，性能越均匀，晶体的完整 性也越好。光强是衡量led性能优劣的另一个重要参
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120381.html2010/12/13 14:28:00
下催化活性比纳米二氧化钛P25强20-30倍，室内无光条件下即可对有机物、甲醛、染料等进行分解，因此纳米复合催化剂在催化净化方面的应用是值得我们关注的。 技术指标： 项目 指
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/13/120333.html2010/12/13 10:41:00
