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延材料、器件设计、管芯工艺到封装和应用设计的各个方面。其中主要包括衬底材料、大失配外延低温缓冲层、P型gan的掺杂及退火激活技术、高质量ingan材料的生长及控制技术、P
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
n区注入P区，空穴由P区注入n区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。 半导体照明（led）作为一种新型光源，由于具有低温、省电、长寿命、无二
http://blog.alighting.cn/led9898/archive/2011/1/4/125756.html2011/1/4 17:38:00
场的作用下，各自向相反方向运动，离开势垒区，结果使P区电势升高，n区电势降低，从而在外电路中产生电压和电流，将光能转化成电能。 led半导体如何将电能转化为光能：led是一种在P－n
http://blog.alighting.cn/led9898/archive/2011/1/4/125719.html2011/1/4 15:33:00
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http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2011/1/4/125682.html2011/1/4 13:14:00
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http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2011/1/4/125675.html2011/1/4 13:08:00
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http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2011/1/4/125674.html2011/1/4 13:07:00
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00
料是砷(as)化鎵(ga) ，其正向Pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(P)化鎵(ga)，其正向Pn结压降
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120886.html2010/12/14 21:52:00
据以串行方式从89c52的P12口输出送往移位寄存器74ls164的a、b端，然后将变成的并行数据从输出端q0～q7输出，以控制开关管wt1～wt8的集电极，然后再将输出的led段
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120875.html2010/12/14 21:49:00
了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米。厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在P-gan层表面均匀和可靠地扩散大电流的能力。因此这种P型接触结构制约了led芯片的工作功
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
