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件用tc=tj-P*rjc的公式近似。厂家规格书一般会给出，rjc， P等参数。一般P是在25度时的功耗。当温度大于25度时，会有一个降额指标。 一、可以把半导体器件分为功率器
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/1/21/128269.html2011/1/21 11:54:00
z-Power ledz7系列（4w）是采用特殊的陶瓷Pcb生产的高亮度白光led产品，提供了5500k色温和440lm照明亮度。值得一提的是，作为可代替P7系列led产品的z
https://www.alighting.cn/news/2011120/n816130171.htm2011/1/20 19:29:37
用的材料是砷(as)化镓(ga) ，其正向Pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(P)化镓(ga)，其正向Pn
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
si衬底led芯片制造工艺 si衬底led封装技术 解决方案： 采用多种在线控制技术 通过调节P型层镁浓度结构 采用多层金属结构 1993年世
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
led是一种场致发光光源，其发光原理是在P-n结两端加上正向电压，则P区中空穴会流向n区。而n区中的电子会流向P区。随着少数载流子和多数载流子的复合放出能量，其中一部分能量转化为
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127040.html2011/1/12 16:43:00
数： δil= 65% 相关参数计算及设定： 输出电压： vout=24s×3.2v=76.8v 输出电流： iout=12P×20ma=240ma 输出功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127034.html2011/1/12 16:40:00
灯陪伴，科技宅男们可以更方便地捣鼓。照明工程师社区,os7l&amP;]iwh-{9
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127016.html2011/1/12 16:29:00
明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2 沉积→窗口图形光刻→sio2 腐蚀→去胶→n极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
m aln已经在si上形成了厚度均匀的连续薄膜，估计其穿透位错密度高达5×1010cm-2.在P侧使用ni/au电极；n电极则从si衬底面引出。对于 300×300mm的管芯，在4.5
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
率。而芯片贴合金属衬底更可以在n-gan表面制作光学微结构，如图二所示,提高外部量子效率效果会更好。芯片贴合芯片：利用热压超声波芯片贴合技术将led芯片的P型氮化镓与金属衬底贴合，形
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
