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3 v或者5 v电压，但系统往往还需要9 v、12 v、15 v甚至更高的电压。而市场上输入电压为3.3 v或5 v且功率大于2 w的ic又比较少见。为此，本文介绍的lm2731芯
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134173.html2011/2/20 23:18:00
片双ldo ic，而是采用集成度更高的ic，例如analogictech公司的 aat2842完整显示解决方案。该方案将上述所有三种功能全部集成在一个4 x 4mm封装的单芯片
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134168.html2011/2/20 23:16:00
往电子照明领域迈进，包括汽车的方向辅助灯、初阶数字相机的闪光灯等都已能用wled代替，更有甚者，已有业者将wled的裸晶面积加大制造，从2×2mm扩增至5×5mm，增强其发光，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134167.html2011/2/20 23:15:00
与pda中广泛使用的led以及电池的电气特性。 依不同制造商所采用技术的差异，led的正向电压(vf)大约在2.7~4v之间，通常高功率led拥有高达4.9v的较高正向电压，因
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134165.html2011/2/20 23:14:00
d相比有许多优势：超轻、超薄(厚度可小于1mm)、亮度高、可视角度大(可达170°)、由像素本身发光而不需要背光源，功耗低、响应速度快(约为lcd速度的1 000倍)、清晰度高、发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134159.html2011/2/20 23:11:00
压转换器的对比 特别当组件高度小于 1mm 的情况下，感应器会相当大。因此当组件高度必须小于1mm 时，充电泵解决方案可能是更好的选择。 emi 考虑事项——充电泵与升压转换
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134152.html2011/2/20 23:08:00
6 个循环的 ingan(3 nm) /gan(9 nm) 多量子井和一个在 950 ℃ 生长的 p-gan 层。经过粗化处理的表面与未处理之前的扫描电镜照片如图 2 所
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构的 led 芯片到焊接点的热阻抗可以降低 9k/w ，大约是传统 led 的 1/6 左右，封装后的 led 施加 2w 的电力时， led 芯片的接合温度比焊接点高 18k ，即
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134148.html2011/2/20 23:07:00
关电容电荷泵并行地驱动led，该电路通常需要采用4个0403型封装的1μf的陶瓷小电容，它提供了当今最为紧凑的解决方案，并且不需要电感器。图1所示为采用2.5×2.5mm qfn封
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个更精确的峰值电感电流： 其中l为实际选择的标准电感值。 将已知数值代入上式可得： 步骤5：计算检流电阻，由r9和r10并联而得；计算电压检测分压电
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