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d相比有许多优势：超轻、超薄(厚度可小于1mm)、亮度高、可视角度大(可达170°)、由像素本身发光而不需要背光源，功耗低、响应速度快(约为lcd速度的1 000倍)、清晰度高、发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134159.html2011/2/20 23:11:00
压转换器的对比 特别当组件高度小于 1mm 的情况下，感应器会相当大。因此当组件高度必须小于1mm 时，充电泵解决方案可能是更好的选择。 emi 考虑事项——充电泵与升压转换
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134152.html2011/2/20 23:08:00
6 个循环的 ingan(3 nm) /gan(9 nm) 多量子井和一个在 950 ℃ 生长的 p-gan 层。经过粗化处理的表面与未处理之前的扫描电镜照片如图 2 所
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
构的 led 芯片到焊接点的热阻抗可以降低 9k/w ，大约是传统 led 的 1/6 左右，封装后的 led 施加 2w 的电力时， led 芯片的接合温度比焊接点高 18k ，即
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134148.html2011/2/20 23:07:00
关电容电荷泵并行地驱动led，该电路通常需要采用4个0403型封装的1μf的陶瓷小电容，它提供了当今最为紧凑的解决方案，并且不需要电感器。图1所示为采用2.5×2.5mm qfn封
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134149.html2011/2/20 23:07:00
个更精确的峰值电感电流： 其中l为实际选择的标准电感值。 将已知数值代入上式可得： 步骤5：计算检流电阻，由r9和r10并联而得；计算电压检测分压电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134150.html2011/2/20 23:07:00
出大约3万粒左右的5mm led的芯粒，然后再进行封装，测试，分拣，最后才能够得到可以使用led产品。但在3英寸的外延片上制作的芯粒是可以分成很多bin的，像蓝色部分的芯粒是整块外延
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134151.html2011/2/20 23:07:00
能大约为６０lｍ/ｗ，但是经过灯具的折减就变为了３５ｌｍ/ｗ，如果再考虑照射到目标区域以外的光线，则只有３０ｌｍ/ｗ。而半导体光源在这些环节上的折减则会少很多。 （9）使用低压直流
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134144.html2011/2/20 23:06:00
种不同方法去抽出led发出的每一粒光子，如生产不同外形的芯片；利用芯片周边有效地控制光折射度提高led取光效率，研制扩大单一芯片表面尺寸（2mm2）增加发光面积，更有利用粗糙的表
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么就必须克服它内部的正向压降(vf)。vf随着白光led电流值的不同而不同，也会随着温度的变化而变化。一般情况下，在整个工作温度范围内，20ma白光led的vf在2.5v至3.9
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