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研究发现不同厚度gan 薄膜的吸收截止边均在3.38EV 附近，在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。
https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37EV,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
0,1060℃的sicge薄膜的室温光致发光峰分别位于2.13,2.18,2.31EV处;通过组分分析和带隙计算,认定该发光峰来自于带间辐射复合,证实了改变生长温度对sicge薄膜带隙的调
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45EV(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
谱证实了该zno薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354EV与中性受主束缚激子相关的发射峰
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
为了对gan/aln异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现gan/aln为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62EV,
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127132.htm2011/9/16 14:59:00
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0EV).通过xrd测量计算出薄膜11
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值，inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7EV左右，而不是先前普遍接受的1.9EV，所以通过调节合金组分可以获得从0
https://www.alighting.cn/resource/20110612/127509.htm2011/6/12 22:37:13
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
