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能出现在加速寿命试验中，在正常工作时，封装材料应该是缓慢退化的。 2.2 金属的电迁移 金属的电迁移是半导体器件和集成电路的电极系统中的最主要的失效机理，在GaN基led中也存在金
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
速寿命试验中，在正常工作时，封装材料应该是缓慢退化的。2.2 金属的电迁移金属的电迁移是半导体器件和集成电路的电极系统中的最主要的失效机理，在GaN基led中也存在金属的电迁移的问
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
效方式只可能出现在加速寿命试验中，在正常工作时，封装材料应该是缓慢退化的。 2.2 金属的电迁移 金属的电迁移是半导体器件和集成电路的电极系统中的最主要的失效机理，在GaN
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
ⅲ 族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管，高密度光学存储用的紫光激光器，紫外光探测器，以及高功率高频电子器件。然而由于缺乏合适的衬底，目前高质量的GaN膜通常都生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
与尺寸大小关系不大，但与电极的位置有关，ｐ焊线电极远离ｎ电极的芯片２０ｍａ下的光输出功率高，正向压降也高。 关键词:ｇａｎ基led;ｉ－ｖ特性;ｐ－ｉ特性; ｇａｎ基半导体材料近
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38
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